TIC206S Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

TIC206S. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 1.3 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 700 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 25 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 50 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 62.5 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 7.8 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.3 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 5 mA
Ток удержания IH 4 mA
Корпус TO-220

TIC206S - English Version

Поиск замены для TIC206S

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

TIC206S Datasheet. Страница #1

TIC206S
 datasheet

Страница #2

TIC206S
 datasheet #2

Описание

SEMICONDUCTORS TIC206A, TIC206B, TIC206D, TIC206M, TIC206N, TIC206S SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR • 4 A RMS • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 5 mA (Quadrants 1-3) • Sensitive gate triacs • Compliance to ROHS DESCRIPTION This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarity of gate signal with main Terminal 2 at either polarity. ABSO