TIC216A Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

TIC216A. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 2.2 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 100 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 6 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 60 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 50 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 62.5 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2.5 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2.2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 5 mA
Ток удержания IH 30 mA
Корпус TO-220

TIC216A - English Version

Поиск замены для TIC216A

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

TIC216A Datasheet. Страница #1

TIC216A
 datasheet

Страница #2

TIC216A
 datasheet #2

Описание

SEMICONDUCTORS TIC216A, TIC216B, TIC216D, TIC216M, TIC216N, TIC216S SILICON TRIACS • 6 A RMS • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 5 mA (Quadrants 1-3) • Sensitive gate triacs • Compliance to ROH ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Value Unit Symbol Ratings A B D M S N Repetitive peak off-state voltage VDRM 100 200 400 600 700 800 V (see Note1) Full-cycle RMS on-state current at (or below) IT(RMS) 6 A 70°C case temperature (