TIC216M Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

TIC216M. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 2.2 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 6 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 60 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 50 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 62.5 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2.5 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2.2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 5 mA
Ток удержания IH 30 mA
Корпус TO-220

TIC216M - English Version

Поиск замены для TIC216M

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

TIC216M Datasheet. Страница #1

TIC216M
 datasheet

Страница #2

TIC216M
 datasheet #2

Описание

TIC216 SERIES SILICON TRIACS ● Sensitive Gate Triacs TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) ● 6 A RMS MT1 1 ● Glass Passivated Wafer MT2 2 ● 400 V to 800 V Off-State Voltage G 3 ● Max IGT of 5 mA (Quadrants 1 - 3) Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDC2ACA absolute maximum ratings over operating case temperature (unless otherwise noted) RATING SYMBOL VALUE UNIT TIC216D 400 TIC216M 600 Repetitive peak off-state voltage (see Note 1) VDRM V TIC216S 700 TIC216N