TIC226S Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

TIC226S. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 2.2 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 700 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 70 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 100 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 62.5 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 1.8 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.6 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 20 mA
Ток удержания IH 9 mA
Корпус TO-220

TIC226S - English Version

Поиск замены для TIC226S

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

TIC226S Datasheet. Страница #1

TIC226S
 datasheet

Страница #2

TIC226S
 datasheet #2

Описание

SEMICONDUCTORS TIC226A, TIC226B, TIC226C, TIC226D, TIC226E, TIC226M, TIC226N, TIC226S SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR • 8 A RMS • 70 A Peak • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 50 mA (Quadrants 1-3) • High-temperature, High-current and high-voltage applications • Compliance to ROHS DESCRIPTION This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on- state by ei