TIC236B Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

TIC236B. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 12 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 100 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 100 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 400 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 62.5 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.4 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 19 mA
Ток удержания IH 22 mA
Корпус TO-220

TIC236B - English Version

Поиск замены для TIC236B

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

TIC236B Datasheet. Страница #1

TIC236B
 datasheet

Страница #2

TIC236B
 datasheet #2

Описание

SEMICONDUCTORS TIC236A, TIC236B, TIC236C, TIC236D, TIC236E, TIC236M, TIC236N, TIC236S SILICON TRIACS • High current triacs • 12 A RMS • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 50 mA (Quadrants 1-3) • Compliance to ROHS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Value Symbol Ratings Unit A B C D E M S N Repetitive peak off-state voltage VDRM 100 200 300 400 500 600 700 800 V (see Note1) Full-cycle RMS on-state current IT(RMS) at (or be