TIC246E Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

TIC246E. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 500 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 16 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 125 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 100 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 400 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 62.5 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 1.9 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.4 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 19 mA
Ток удержания IH 22 mA
Корпус TO-220

TIC246E - English Version

Поиск замены для TIC246E

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

TIC246E Datasheet. Страница #1

TIC246E
 datasheet

Страница #2

TIC246E
 datasheet #2

Описание

SEMICONDUCTORS TIC246B, TIC246C, TIC246D, TIC246E, TIC246M, TIC246N, TIC246S SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR • High current triacs • 16 A RMS • 70 A Peak • Glass Passivated Wafer • 200 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 50 mA (Quadrants 1-3) • 125 A peak current • Compliance to ROHS DESCRIPTION This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarity of gate si