TSN10A80 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

TSN10A80. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.5 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 10 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 500 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 1500 A/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 80 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 5 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.5 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 20 mA
Ток удержания IH 7 mA
Корпус TO-262

TSN10A80 - English Version

Поиск замены для TSN10A80

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

TSN10A80 Datasheet. Страница #1

TSN10A80
 datasheet

Страница #2

TSN10A80
 datasheet #2

Описание

THYRISTOR Type:TSN10A80 10A, 800V 構造: シリコンプレーナ型逆導通サイリスタ 用途: HIDランプ点灯用 コンデンサ放電制御用 バラスト回路用 ■ 最大定格 項 目 記号 条 件 定 格 値 単位 繰り返しピ-クオフ電圧 VD M T j=25℃ 800 V R TC≦100℃,VDM≦400V 繰り返しピークオン電流 IG≧80mA,dig/dt≧0.5A/μs IT M 500 A