USF8J48 SCR DATASHEET
Параметр | Обозначение | Величина | Ед.изм. |
---|---|---|---|
Тип |
SCR | ||
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе |
PGM | 5 | W |
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии |
VDRM | 600 | V |
Максимальный средний ток в открытом состоянии |
IT(AVR) | 8 | A |
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии |
IT(RMS) | 12.6 | A |
Ударный ток в открытом состоянии |
ITSM | 120 | A |
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии |
dI/dt | 100 | A/µs |
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии |
dV/dt | 50 | V/µs |
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения |
Tstg, Tj | -40..125 | °C |
Тепловое сопротивление переход-корпус |
RTH(j-c) | 2.8 | K/W |
Отпирающее постоянное напряжение управления |
VGT | 1 | V |
Импульсное напряжение в открытом состоянии |
VTM | 1.5 | V |
Отпирающий постоянный ток управления |
IGT | 10 | mA |
Ток удержания |
IH | 40 | mA |
Корпус |
TO-263 |
SF8G48,SF8J48,USF8G48,USF8J48 TOSHIBA THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE SF8G48,SF8J48,USF8G48,USF8J48 MEDIUM POWER CONTROL APPLICATIONS Repetitive Peak Off-State Voltage : V =400,600V DRM Repetitive Peak Reverse Voltage : VRRM=400,600V Average On-State Current : I =8A T (AV) Gate Trigger Current : I =10mA Max. GT Unit in mm SF8G48 · SF8J48 USF8G48 · USF8J48 JEDEC ― JEDEC ― JEITA ― JEITA ― TOSHIBA 13-10J1B TOSHIBA 13-10J2B Weight : 1.7g MARKING F8G4