VS-ST083S12P SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

VS-ST083S12P. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1200 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 85 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 135 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 2450 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 1000 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 500 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.2 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.15 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 0.6 mA
Корпус TO-209AC

VS-ST083S12P - English Version

Поиск замены для VS-ST083S12P

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

VS-ST083S12P Datasheet. Страница #1

VS-ST083S12P
 datasheet

Страница #2

VS-ST083S12P
 datasheet #2

Описание

VS-ST083SP Series www.vishay.com Vishay Semiconductors Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 85 A FEATURES • Center amplifying gate • High surge current capability • Low thermal impedance • High speed performance • Compression bonding TO-209AC (TO-94) • Designed and qualified for industrial level • Material categorization: For definitions of compliance PRODUCT SUMMARY please see www.vishay.com/doc?99912 Package TO-209AC (TO-94) TYPICAL APPLICATIONS Diode v