WCD8C60S SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

WCD8C60S. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-252

WCD8C60S - English Version

Поиск замены для WCD8C60S

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

WCD8C60S Datasheet. Страница #1

WCD8C60S
 datasheet

Страница #2

WCD8C60S
 datasheet #2

Описание

WCD8C60S WCD8C60S WCD8C60S WCD8C60S Sensitive Gate Sensitive Gate Sensitive Gate Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers Features � Sensitive gate trigger current:I =200µA maximum GT � Low On-State Voltage :V =1.2(typ.) @ I ) TM TM � Low reverse and forward blocking current: I /I =1mA@TC=125℃ DRM RRM � Low holding current :I =5mA maximum H General Description Sensit