WTN1A80 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

WTN1A80. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.5 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 5 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-92

WTN1A80 - English Version

Поиск замены для WTN1A80

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

WTN1A80 Datasheet. Страница #1

WTN1A80
 datasheet

Страница #2

WTN1A80
 datasheet #2

Описание

WTN1A80 WTN1A80 WTN1A80 WTN1A80 Bi-Directional Triode Thyristor Bi-Directional Triode Thyristor Bi-Directional Triode Thyristor Bi-Directional Triode Thyristor Features ■ Repetitive Peak off-State Voltage:800V ■ R.M.S On-State Current(IT(RMS)=1A ■ Low on-state voltage: VTM=1.2(typ.)@ ITM ■ Low reverse and forward blocking current: IDRM=500uA@TC=125℃ ■ Low holding current: IH=4mA (typ.) ■ High Commutation dV/dt. General Description General purpose switching and p