WTPB4A60SW Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

WTPB4A60SW. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.6 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 10 mA
Ток удержания IH 15 mA
Корпус TO-220AB

WTPB4A60SW - English Version

Поиск замены для WTPB4A60SW

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

WTPB4A60SW Datasheet. Страница #1

WTPB4A60SW datasheet

Страница #2

WTPB4A60SW datasheet #2

Описание

WTPB4A60SW WTPB4A60SW WTPB4A60SW WTPB4A60SW Bi-Directional Triode Thyristor Bi-Directional Triode Thyristor Bi-Directional Triode Thyristor Bi-Directional Triode Thyristor Features ◆ Repetitive Peak Off-State Voltage : 600V ◆ R.M.S On-State Current ( IT(RMS)= 4 A ) ◆ Low On-State Voltage (1.6V(Typ.) @ ITM) ◆ High Commutation dv/dt General Description Standard gate triggering Triac is suitable for direct coupling to TTL, HTL, CMOS and application such as various logic f